收藏本站
RUR020N02
l Electrical characteristic curves
Fig.11 Drain CurrentDerating Curve
1.2
Data Sheet
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
300
1
0.8
0.6
0.4
0.2
250
200
150
100
50
I D = 2.0 A
I D = 1.0 A
T a = 25oC
Pulsed
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
Junction Temperature : T j [oC]
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
1000
Gate - Source Voltage : V GS [V]
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
150
T a = 25oC
Pulsed
V GS = 1.5V
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
100
100
.
50
V GS =4.5V
I D =2.0A
pulsed
10
0.01
0.1
1
10
0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
Drain Current : I D [A]
Junction Temperature : T j [oC]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
7/11
2012.06 - Rev.B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
RUR040N02TL MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
RVIT-15-120I ROTARY VARIABLE TRANSDUCER
RVQ040N05TR MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
RW1A020ZPT2R MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
RW1C020UNT2R MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
RWD-MIFARE MOD RCVR RFID MIFARE 13.56MHZ
RWD-QT MODULE RCVR RFID QUAD TAG
RXD-433-KH2 RECEIVER/DECODER 433MHZ KH2 SER
相关代理商/技术参数
RUR040N02 制造商:VECTRON 制造商全称:Vectron International, Inc 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET
RUR040N023000 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET
RUR040N02TL 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RUR1510 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RUR1520 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RUR1540 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RUR1550 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RUR1560 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk